MOSFET PMXB65UPEZ Typ P-kanálový -3.2 A -12 V Nexperia, DFN, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-3145
- Výrobní číslo:
- PMXB65UPEZ
- Výrobce:
- Nexperia
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
- Skladové číslo RS:
- 151-3145
- Výrobní číslo:
- PMXB65UPEZ
- Výrobce:
- Nexperia
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Nexperia | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -3.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -12V | |
| Typ balení | DFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 880mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 8V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 8.33W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 1.15mm | |
| Výška | 360μm | |
| Šířka | 1.05mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Nexperia | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -3.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -12V | ||
Typ balení DFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 880mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 8V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 8.33W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 1.15mm | ||
Výška 360μm | ||
Šířka 1.05mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistory MOSFET P-kanál, Skvělý pomocník tam, kde N-kanál nelze použít, V našem rozsáhlém katalogu tranzistorů MOSFET najdete i mnoho řad zařízení P-kanál využívajících špičkovou technologii Trench společnosti Nexperia Jmenovité napětí v rozsahu 12 až 70 V a pouzdra s nízkým a středním výkonem a nabízejí tak naši pověstnou kombinaci vysoké účinnosti a vysoké spolehlivosti.
Unipolární tranzistor FET 12 V s rozšířeným N-kanálem s technologií Trench MOSFET v ultra malém plastovém SMD pouzdru DFN1010D-3 (SOT1215) bez vývodů.
Technologie Trench MOSFET
Ultra malé a tenké plastové SMD pouzdro bez vývodů: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Nekrytý jazýček pro kolektor pro vynikající vedení tepla
Ochrana před elektrostatickými výboji (ESD) 1,5 kV HBM
Aktivní odpor kolektor-zdroj RDSon = 59 mΩ
Velmi nízké prahové napětí řídicí elektrody pro mobilní aplikace VGS(th) = -0,68 V
Související odkazy
- MOSFET Typ P-kanálový -3.2 A -12 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 3.2 A 12 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 3.2 A 30 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET PMXB56ENZ N-kanálový 3.2 A 30 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET PMXB40UNEZ N-kanálový 3.2 A 12 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový -2.9 A -20 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový -2.4 A -30 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET PMXB75UPEZ Typ P-kanálový -2.9 A -20 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení