řada: Si4848DY MOSFET SI4848DY-T1-GE3 Typ N-kanálový 2.7 A 150 V Vishay, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 152-6374
- Výrobní číslo:
- SI4848DY-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
241,57 Kč
(bez DPH)
292,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 5 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 470 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 48,314 Kč | 241,57 Kč |
| 50 - 120 | 43,57 Kč | 217,85 Kč |
| 125 - 245 | 41,10 Kč | 205,50 Kč |
| 250 - 495 | 38,63 Kč | 193,15 Kč |
| 500 + | 36,26 Kč | 181,30 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 152-6374
- Výrobní číslo:
- SI4848DY-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Řada | Si4848DY | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 95mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.55mm | |
| Délka | 5mm | |
| Šířka | 4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Typ balení SOIC | ||
Řada Si4848DY | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 95mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.55mm | ||
Délka 5mm | ||
Šířka 4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Bez halogenů
Napájecí tranzistory MOSFET TrenchFET®
Související odkazy
- řada: Si4848DY MOSFET Typ N-kanálový 2.7 A 150 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2303CDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 2.7 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SI9945BDY-T1-GE3 Typ N-kanálový 5.3 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení Izolovaný
- řada: ThunderFET MOSFET SI4090DY-T1-GE3 Typ N-kanálový 20 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ThunderFET MOSFET SI4056DY-T1-GE3 Typ N-kanálový 11.1 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: Si4403CDY MOSFET SI4403CDY-T1-GE3 Typ P-kanálový 13.4 A 20 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: Si4190ADY MOSFET SI4190ADY-T1-GE3 Typ N-kanálový 18 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: Si4850EY MOSFET SI4850EY-T1-GE3 Typ N-kanálový 8.5 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení