řada: BSM Napájecí modul SiC BSM300D12P2E001 Typ N-kanálový 300 A 1200 V, počet kolíků: 4 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 144-2260
- Výrobní číslo:
- BSM300D12P2E001
- Výrobce:
- ROHM
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 144-2260
- Výrobní číslo:
- BSM300D12P2E001
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | Napájecí modul SiC | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 300A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Řada | BSM | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1875W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 17mm | |
| Délka | 152mm | |
| Šířka | 57.95mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu Napájecí modul SiC | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 300A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Řada BSM | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1875W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 17mm | ||
Délka 152mm | ||
Šířka 57.95mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- JP
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
Half-Bridge configuration
Low Surge Current
Low Power Switching Losses
High-Speed Switching
Low Operating Temperature
Tranzistory MOSFET, ROHM Semiconductor
Note
BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.
Související odkazy
- řada: BSM Napájecí modul SiC BSM300D12P2E001 Typ N-kanálový 300 A 1200 V, počet kolíků: 4 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- řada: BSM Napájecí modul SiC BSM120D12P2C005 Typ N-kanálový 240 A 1200 V ROHM, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: BSM Napájecí modul SiC BSM180D12P3C007 Typ N-kanálový, počet kolíků: 4 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- řada: SiC MOSFET MOSFET Typ N-kanálový 20 A 1200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Napájecí modul SiC BSM180D12P2C101 Typ N-kanálový 204 A 1200 V ROHM
- ROHM Schottkyho dioda a usměrňovač SCS210KNTRL Schottkyho SiC 10 A 1200 V, počet kolíků: 2 kolíkový
- ROHM Schottkyho dioda a usměrňovač SCS212ANTRL Schottkyho SiC 12 A 1200 V, počet kolíků: 2 kolíkový
- ROHM Schottkyho dioda a usměrňovač SCS230ANTRL Schottkyho SiC 30 A 1200 V, počet kolíků: 2 kolíkový