řada: BSM Napájecí modul SiC BSM120D12P2C005 Typ N-kanálový 240 A 1200 V ROHM, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 144-2257
- Výrobní číslo:
- BSM120D12P2C005
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
10 510,59 Kč
(bez DPH)
12 717,81 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 26. dubna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 4 | 10 510,59 Kč |
| 5 - 9 | 10 237,41 Kč |
| 10 - 24 | 9 974,35 Kč |
| 25 + | 9 722,17 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 144-2257
- Výrobní číslo:
- BSM120D12P2C005
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | Napájecí modul SiC | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 240A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Řada | BSM | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 250W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Poloviční můstek | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 17mm | |
| Délka | 122mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu Napájecí modul SiC | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 240A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Řada BSM | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 250W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Poloviční můstek | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 17mm | ||
Délka 122mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- JP
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
Half-Bridge configuration
Low Surge Current
Low Power Switching Losses
High-Speed Switching
Low Operating Temperature
Tranzistory MOSFET, ROHM Semiconductor
Note
BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.
Související odkazy
- řada: BSM Napájecí modul SiC BSM300D12P2E001 Typ N-kanálový 300 A 1200 V, počet kolíků: 4 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- řada: BSM Napájecí modul SiC BSM180D12P3C007 Typ N-kanálový, počet kolíků: 4 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- řada: SiC MOSFET MOSFET Typ N-kanálový 20 A 1200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Napájecí modul SiC BSM180D12P2C101 Typ N-kanálový 204 A 1200 V ROHM
- ROHM Schottkyho dioda a usměrňovač SCS205KNTRL Schottkyho SiC 5 A 1200 V, počet kolíků: 2 kolíkový
- ROHM Schottkyho dioda a usměrňovač SCS212ANTRL Schottkyho SiC 12 A 1200 V, počet kolíků: 2 kolíkový
- ROHM Schottkyho dioda a usměrňovač SCS210KNTRL Schottkyho SiC 10 A 1200 V, počet kolíků: 2 kolíkový
- ROHM Schottkyho dioda a usměrňovač SCS230ANTRL Schottkyho SiC 30 A 1200 V, počet kolíků: 2 kolíkový