řada: BSM Napájecí modul SiC BSM180D12P3C007 N-kanálový, počet kolíků: 4 kolíkový ROHM Vylepšení 2

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
Skladové číslo RS:
144-2254
Výrobní číslo:
BSM180D12P3C007
Výrobce:
ROHM
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

ROHM

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

Napájecí modul SiC

Řada

BSM

Počet kolíků

4

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

17mm

Šířka

45.6mm

Délka

122mm

Počet prvků na čip

2

Země původu (Country of Origin):
JP

SiC Power Modules, ROHM


The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

Half-Bridge configuration

Low Surge Current

Low Power Switching Losses

High-Speed Switching

Low Operating Temperature

Tranzistory MOSFET, ROHM Semiconductor


Note

BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.