řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 124-8963
- Výrobní číslo:
- IRFB4110PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 637,10 Kč
(bez DPH)
1 980,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 700 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026
- Plus 1 000 jednotka(y) budou odesílané od 26. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 32,742 Kč | 1 637,10 Kč |
| 100 - 200 | 30,119 Kč | 1 505,95 Kč |
| 250 + | 28,484 Kč | 1 424,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 124-8963
- Výrobní číslo:
- IRFB4110PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 180A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 370W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 4.82mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.66mm | |
| Výška | 9.02mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 370W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 4.82mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.66mm | ||
Výška 9.02mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MX
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud 180 A, maximální ztrátový výkon 370 W - IRFB4110PBF
Tento tranzistor MOSFET slouží jako účinný výkonový tranzistor přizpůsobený pro aplikace v automatizaci, elektronice a elektrotechnickém průmyslu. Jeho robustní konstrukce a přesné specifikace představují univerzální řešení pro aplikace, kde je důležitá účinnost a spolehlivost. Díky konstrukci s vylepšeným režimem a N-kanálové konfiguraci je vhodný pro vysokorychlostní spínací operace.
Vlastnosti a výhody
• Maximální trvalý odtokový proud 180 A podporuje vysoký výkon
• Rozsah napětí mezi zdrojem a drenem 100 V umožňuje různé aplikace
• Nízký RDS(on) 4,5mΩ snižuje ztráty výkonu a zvyšuje účinnost
• Výkon až 370 W zajišťuje stabilitu
• Vylepšené tepelné vlastnosti podporují spolehlivost v extrémních podmínkách
• Úplná charakterizace lavinové a dynamické odolnosti dv/dt podporuje trvanlivost
Aplikace
• Používá se ve vysoce účinném synchronním usměrňování pro napájecí zdroje
• Vhodné pro systémy nepřerušitelného napájení
• Ideální pro vysokorychlostní výkonové spínací obvody
• Použitelné v pevně spínaných a vysokofrekvenčních obvodech
Jaký je vhodný rozsah provozních teplot pro optimální výkon?
Efektivně pracuje při teplotách od -55 °C do +175 °C a zajišťuje funkčnost v různých prostředích.
Jak MOSFET minimalizuje energetické ztráty v obvodech?
Nízké RDS(on) 4,5 mΩ výrazně snižuje ztráty při vedení, což umožňuje efektivní provoz ve výkonové elektronice.
Lze jej použít ve vysokofrekvenčních aplikacích?
Ano, jeho konstrukce umožňuje vysokorychlostní spínání, takže je vhodný pro aplikace vyžadující rychlé přechody mezi zapnutím a vypnutím.
Jaké jsou hodnoty tepelného odporu pro správnou montáž?
Tepelný odpor mezi přechodem a skříní je 0,402 °C/W, zatímco odpor mezi skříní a chladičem je 0,50 °C/W, což umožňuje účinný odvod tepla.
Jaké lavinové charakteristiky je třeba zohlednit při používání?
Podporuje lavinové hodnocení energie jednotlivých pulzů, poskytuje ochranu proti přechodným napěťovým špičkám a zajišťuje spolehlivost při návrhu obvodů.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFB4110PBF Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLB4030PBF Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 75 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFB3207PBF Typ N-kanálový 180 A 75 V Infineon, TO-220