řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 124-9014
- Výrobní číslo:
- IRFP4110PBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 25 kusech)*
954,65 Kč
(bez DPH)
1 155,125 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 375 jednotka(y) budou odesílané od 04. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 38,186 Kč | 954,65 Kč |
| 50 - 100 | 35,568 Kč | 889,20 Kč |
| 125 - 225 | 34,63 Kč | 865,75 Kč |
| 250 - 475 | 33,74 Kč | 843,50 Kč |
| 500 + | 32,90 Kč | 822,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 124-9014
- Výrobní číslo:
- IRFP4110PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 180A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 370W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 20.7mm | |
| Délka | 15.87mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 370W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 20.7mm | ||
Délka 15.87mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MX
Řízení motoru a synchronní snižovací tranzistor MOSFET AC-DC, Infineon
Ovládání MOTORU MOSFET
Společnost Infineon nabízí komplexní portfolio robustních zařízení MOSFET typu N-channel a P-channel pro aplikace řízení motorů.
Synchronní usměrňovač MOSFET
Portfolio synchronních zařízení MOSFET pro napájecí zdroje AC-DC podporuje požadavky zákazníků na vyšší hustotu energie, menší velikost, větší přenosnost a flexibilnější systémy.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFP4110PBF Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 30 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 94 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 160 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 65 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 100 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 50 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení