řada: HEXFET MOSFET IRLB4030PBF N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 124-9026
- Výrobní číslo:
- IRLB4030PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (50 jednotky/-ek, do tubusu po 50 ks)*
3 407,35 Kč
(bez DPH)
4 122,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 68,147 Kč | 3 407,35 Kč |
| 100 - 200 | 57,245 Kč | 2 862,25 Kč |
| 250 + | 53,154 Kč | 2 657,70 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 124-9026
- Výrobní číslo:
- IRLB4030PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 180A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 87nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 370W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -16, +16V | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.83mm | |
| Výška | 9.02mm | |
| Délka | 10.67mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 87nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 370W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -16, +16V | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.83mm | ||
Výška 9.02mm | ||
Délka 10.67mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MX
Tranzistor MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální zdrojové napětí vypouštění 100 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 180 A – IRLB4030PBF
Tento n-kanálový vylepšovací MOSFET je vysokoproudý napájecí spínač navržený pro montáž do průchozího otvoru v pouzdrech TO-220, určený pro náročné aplikace s převodem napájení a spínáním. Pracuje v širokém tepelném rozsahu a podporuje ovládání řízené hradlem pro efektivní vedení v stejnosměrných obvodech, kde je vyžadován nízký odpor při zapnutí a značná schopnost stejnosměrného proudu.
Charakteristiky a výhody:
• Velmi nízký odpor při zapnutí 4 mΩ pro nižší ztráty při vedení
• Zvládá nepřetržitý vypouštěcí proud 180 A pro aplikace s vysokou zátěží
• Jmenovité napětí odtoku-zdroje 100 V pro systémy se středním napětím
• Maximální ztrátový výkon 370 W pro trvalé tepelné zatížení
• Typický náboj hradla 87 nC umožňující předvídatelné spínání
• Odolnost brány vůči zdroji napětí až 16 V pro robustní marži pohonu
• Zvládá nepřetržitý vypouštěcí proud 180 A pro aplikace s vysokou zátěží
• Jmenovité napětí odtoku-zdroje 100 V pro systémy se středním napětím
• Maximální ztrátový výkon 370 W pro trvalé tepelné zatížení
• Typický náboj hradla 87 nC umožňující předvídatelné spínání
• Odolnost brány vůči zdroji napětí až 16 V pro robustní marži pohonu
Aplikace
• Vhodné pro vysokoproudové stupně pohonu motoru
• Ideální pro synchronní usměrnění v napájecích zdrojích
• Používá se se správou baterie a měničem DC/DC
• Lze použít pro spínání průmyslových měničů
• Vhodné pro telekomunikační rozvodné stojany
• Ideální pro synchronní usměrnění v napájecích zdrojích
• Používá se se správou baterie a měničem DC/DC
• Lze použít pro spínání průmyslových měničů
• Vhodné pro telekomunikační rozvodné stojany
Jaké tepelné extrémy může během provozu tolerovat?
Zařízení je specifikováno pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C, což umožňuje použití jak v podmínkách studeného startu, tak v prostředí se zvýšenou teplotou v blízkosti zdrojů tepla.
Jak by měl být namontován, aby účinně řídil teplo?
Dodává se v pouzdru s průchozím otvorem TO-220, který umožňuje bezpečné upevnění šroubem k chladičům, což umožňuje přímé tepelné vedení z jazýčku pouzdra pro lepší chlazení.
Jaké vlastnosti spínání ovlivňují výběr ovladače hradla?
S typickým celkovým nábojem hradla 87 nC musí obvody budiče dodávat dostatečný špičkový proud pro požadované přechodové časy a zároveň řídit ztráty při spínání.
Jaké chování tělesa a kanálu ovlivňuje volbu topologie obvodu?
Jako zařízení pro vylepšení N-kanálu vede, když je kladně poháněno u hradla vzhledem ke zdroji, díky čemuž je vhodné pro spínání na nízké straně a synchronní topologie.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFB4110PBF Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 180 A 75 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 180 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFB3207PBF N-kanálový 180 A 75 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET IRFR7440TRPBF N-kanálový 180 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení