AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMN4031SSD-13 N-kanálový 7 A 40 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 122-3278
- Výrobní číslo:
- DMN4031SSD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
12 565,00 Kč
(bez DPH)
15 202,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 500 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 + | 5,026 Kč | 12 565,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 122-3278
- Výrobní číslo:
- DMN4031SSD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 50mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.6W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Přímé napětí Vf | 740mV | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Maximální provozní teplota | +150°C | |
| Výška | 1.5mm | |
| Délka | 4.95mm | |
| Normy/schválení | AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202 | |
| Šířka | 3.95mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 50mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.6W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Přímé napětí Vf 740mV | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Maximální provozní teplota +150°C | ||
Výška 1.5mm | ||
Délka 4.95mm | ||
Normy/schválení AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202 | ||
Šířka 3.95mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q200 AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMN4031SSD-13 N-kanálový 7 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q100 AEC-Q200 Výkonový MOSFET DMP4025LSD-13 Typ P-kanálový 5.8 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q200 AEC-Q101 SOIC, počet kolíků: 8
- AEC-Q200 AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMC3021LSD-13 Typ P SOIC, počet kolíků: 8
- AEC-Q100 AEC-Q200 Výkonový MOSFET Typ P-kanálový 5.8 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q200 AEC-Q101 SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET DMT68M8LSS-13 N-kanálový 10.7 A 12 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q100 AEC-Q200 PowerDI5060, počet kolíků: