AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 Výkonový MOSFET Typ P-kanálový 5.8 A 40 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex
- Skladové číslo RS:
- 922-8597
- Výrobní číslo:
- DMP4025LSD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
36 975,00 Kč
(bez DPH)
44 750,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 13. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 + | 14,79 Kč | 36 975,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 922-8597
- Výrobní číslo:
- DMP4025LSD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5.8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 45mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.14W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | -0.7V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Výška | 1.5mm | |
| Normy/schválení | MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020 | |
| Délka | 4.95mm | |
| Šířka | 3.95mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 45mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.14W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf -0.7V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Výška 1.5mm | ||
Normy/schválení MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020 | ||
Délka 4.95mm | ||
Šířka 3.95mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q100 AEC-Q200 Výkonový MOSFET DMP4025LSD-13 Typ P-kanálový 5.8 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q200 AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 7 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q200 AEC-Q101 SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMP3056LSD-13 Typ P-kanálový 5.8 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ P-kanálový 5.8 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q200 AEC-Q101 SOIC, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 11.4 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q100 Texas Instruments Operační zesilovač 5.8 MHz 22V počet kolíků: 8 kolíkový