AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 7.5 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

10 595,00 Kč

(bez DPH)

12 820,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 20 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
2500 +4,238 Kč10 595,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
122-0209
Výrobní číslo:
DMG4800LSD-13
Výrobce:
DiodesZetex
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

DiodesZetex

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

7.5A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

SOIC

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

22mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

8.56nC

Maximální ztrátový výkon Pd

1.5W

Přímé napětí Vf

0.72V

Minimální provozní teplota

150°C

Maximální provozní teplota

-55°C

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Normy/schválení

UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020, MIL-STD-202

Délka

4.95mm

Výška

1.5mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):
CN

Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.


Tranzistory MOSFET, Diode Inc.


Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.