AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 4.1 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- Skladové číslo RS:
- 169-7498
- Výrobní číslo:
- DMN6070SSD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
10 740,00 Kč
(bez DPH)
12 995,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 5 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 + | 4,296 Kč | 10 740,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 169-7498
- Výrobní číslo:
- DMN6070SSD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4.1A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 100mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | 150°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.5W | |
| Přímé napětí Vf | 0.75V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| Maximální provozní teplota | -55°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Šířka | 3.95 mm | |
| Délka | 4.95mm | |
| Normy/schválení | J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | |
| Výška | 1.5mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.1A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 100mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota 150°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.5W | ||
Přímé napětí Vf 0.75V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 5.6nC | ||
Maximální provozní teplota -55°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Šířka 3.95 mm | ||
Délka 4.95mm | ||
Normy/schválení J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | ||
Výška 1.5mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMN6070SSD-13 Typ N-kanálový 4.1 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 7.6 A 20 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 4.4 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 6.6 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 7.5 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 MOSFET Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 MOSFET Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 MOSFET Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný