AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ P, Typ N-kanálový 8.5 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

9 830,00 Kč

(bez DPH)

11 895,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 13. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
2500 +3,932 Kč9 830,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
122-0202
Výrobní číslo:
DMC3021LSD-13
Výrobce:
DiodesZetex
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

DiodesZetex

Typ kanálu

Typ P, Typ N

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

8.5A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

SOIC

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

53mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

7.8nC

Maximální ztrátový výkon Pd

2.5W

Přímé napětí Vf

0.7V

Minimální provozní teplota

150°C

Maximální provozní teplota

-55°C

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Normy/schválení

AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0

Délka

4.95mm

Výška

1.5mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):
CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.


Tranzistory MOSFET, Diode Inc.


Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.