řada: MDmesh DM2 MOSFET STB18N60DM2 Typ N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 111-6459
- Výrobní číslo:
- STB18N60DM2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
371,98 Kč
(bez DPH)
450,095 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 15. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 74,396 Kč | 371,98 Kč |
| 10 - 95 | 63,33 Kč | 316,65 Kč |
| 100 - 495 | 49,598 Kč | 247,99 Kč |
| 500 + | 41,892 Kč | 209,46 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 111-6459
- Výrobní číslo:
- STB18N60DM2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | MDmesh DM2 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 290mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 90W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 20nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 4.6mm | |
| Délka | 9.35mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada MDmesh DM2 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 290mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 90W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 20nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 4.6mm | ||
Délka 9.35mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh DM2 MOSFET Typ N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh DM2 MOSFET STW48N60DM2 Typ N-kanálový 40 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh DM2 MOSFET STF35N60DM2 Typ N-kanálový 28 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh DM2 MOSFET STW56N60DM2 Typ N-kanálový 50 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh DM2 MOSFET STW70N60DM2 Typ N-kanálový 66 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh DM2 MOSFET STW35N60DM2 Typ N-kanálový 28 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh DM2 MOSFET Typ N-kanálový 28 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh DM2 MOSFET Typ N-kanálový 50 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení