řada: MDmesh DM2 MOSFET STW56N60DM2 N-kanálový 50 A 600 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 111-6485
- Výrobní číslo:
- STW56N60DM2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 16%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
195,62 Kč
(bez DPH)
236,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 26. dubna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 195,62 Kč | - |
| 10 - 99 | 163,27 Kč | 16% |
| 100 + | 161,29 Kč | 17% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 111-6485
- Výrobní číslo:
- STW56N60DM2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 50A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | MDmesh DM2 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 60mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 90nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 360W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -25V, +25V | |
| Přímé napětí Vf | -5.5V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.15mm | |
| Délka | 15.75mm | |
| Výška | 20.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 50A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada MDmesh DM2 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 60mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 90nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 360W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -25V, +25V | ||
Přímé napětí Vf -5.5V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.15mm | ||
Délka 15.75mm | ||
Výška 20.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh DM2 MOSFET N-kanálový 50 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh DM2 MOSFET N-kanálový 40 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh DM2 MOSFET N-kanálový 66 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh DM2 MOSFET STW70N60DM2 N-kanálový 66 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh DM2 MOSFET STW48N60DM2 N-kanálový 40 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh DM2 MOSFET N-kanálový 22 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh DM2 MOSFET STW28N60DM2 N-kanálový 22 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh DM2 MOSFET N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení