řada: MDmesh DM2 MOSFET STW28N60DM2 Typ N-kanálový 22 A 650 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 111-6480
- Výrobní číslo:
- STW28N60DM2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
226,50 Kč
(bez DPH)
274,06 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 25. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 113,25 Kč | 226,50 Kč |
| 20 - 98 | 92,13 Kč | 184,26 Kč |
| 100 - 198 | 70,27 Kč | 140,54 Kč |
| 200 + | 62,245 Kč | 124,49 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 111-6480
- Výrobní číslo:
- STW28N60DM2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 22A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | MDmesh DM2 | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 160mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 190W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 39nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 15.75mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 20.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 22A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada MDmesh DM2 | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 160mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 190W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 39nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 15.75mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 20.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh DM2 MOSFET Typ N-kanálový 22 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh DM2 MOSFET STW48N60DM2 Typ N-kanálový 40 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh DM2 MOSFET STW56N60DM2 Typ N-kanálový 50 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh DM2 MOSFET STW70N60DM2 Typ N-kanálový 66 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh DM2 MOSFET STW35N60DM2 Typ N-kanálový 28 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh DM2 MOSFET Typ N-kanálový 50 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh DM2 MOSFET Typ N-kanálový 66 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh DM2 MOSFET Typ N-kanálový 28 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení