řada: MDmesh DM2 MOSFET STF35N60DM2 N-kanálový 28 A 600 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 111-6464
- Výrobní číslo:
- STF35N60DM2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (2 jednotky/-ek, v balení po 2 ks)*
275,65 Kč
(bez DPH)
333,54 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 166 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 137,825 Kč | 275,65 Kč |
| 20 - 98 | 121,275 Kč | 242,55 Kč |
| 100 - 198 | 108,31 Kč | 216,62 Kč |
| 200 + | 93,12 Kč | 186,24 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 111-6464
- Výrobní číslo:
- STF35N60DM2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 28A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | MDmesh DM2 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 110mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 40W | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -25, +25V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.6mm | |
| Výška | 16.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 28A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada MDmesh DM2 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 110mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 40W | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -25, +25V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.6mm | ||
Výška 16.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh DM2 MOSFET N-kanálový 28 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh DM2 MOSFET N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh DM2 MOSFET N-kanálový 50 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh DM2 MOSFET N-kanálový 66 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh DM2 MOSFET N-kanálový 22 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh DM2 MOSFET N-kanálový 40 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh DM2 MOSFET STB18N60DM2 N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh DM2 MOSFET STW56N60DM2 N-kanálový 50 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení