MPN

MOSFET BSP250,115 P-kanálový 3 A 30 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Nexperia
	Typ kanálu	P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	3 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	30 V
	Typ balení	SOT-223
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	250 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	2.8V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	1V
	Maximální ztrátový výkon	1,65 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Maximální pracovní teplota	+150 °C
	Délka	6.7mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	10 nC při 10 V
	Počet prvků na čip	1
	Materiál tranzistoru	Si
	Šířka	3.7mm
	Výška	1.7mm
	Minimální provozní teplota	-65 °C

	Vybrat vše
	Značka Nexperia
	Typ kanálu P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 3 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 30 V
	Typ balení SOT-223
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 250 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2.8V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1V
	Maximální ztrátový výkon 1,65 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Maximální pracovní teplota +150 °C
	Délka 6.7mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 10 nC při 10 V
	Počet prvků na čip 1
	Materiál tranzistoru Si
	Šířka 3.7mm
	Výška 1.7mm
	Minimální provozní teplota -65 °C

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.