MOSFET BSP250,115 P-kanálový 3 A 30 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 216-9268
- Výrobní číslo:
- BSP250,115
- Výrobce:
- Nexperia
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
87,93 Kč
(bez DPH)
106,395 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 17,586 Kč | 87,93 Kč |
| 10 - 45 | 10,572 Kč | 52,86 Kč |
| 50 - 245 | 10,028 Kč | 50,14 Kč |
| 250 - 495 | 9,732 Kč | 48,66 Kč |
| 500 + | 9,436 Kč | 47,18 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 216-9268
- Výrobní číslo:
- BSP250,115
- Výrobce:
- Nexperia
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Nexperia | |
| Typ kanálu | P | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 3 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 30 V | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 250 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 2.8V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 1V | |
| Maximální ztrátový výkon | 1.65 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 10 nC při 10 V | |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Délka | 6.7mm | |
| Šířka | 3.7mm | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Výška | 1.7mm | |
| Minimální provozní teplota | -65 °C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Nexperia | ||
Typ kanálu P | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 3 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 30 V | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 250 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2.8V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1V | ||
Maximální ztrátový výkon 1.65 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 10 nC při 10 V | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Délka 6.7mm | ||
Šířka 3.7mm | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Výška 1.7mm | ||
Minimální provozní teplota -65 °C | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
P-Channel MOSFET, Nexperia
Tranzistory MOSFET, polovodiče NXP
Související odkazy
- MOSFET BSP250 SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET ZXMP3A16GTA Typ P-kanálový 7.5 A 30 V počet kolíků: 3 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 1 Jednoduchý
- řada: QFETMOSFET FQT3P20TF P-kanálový 670 mA 200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET SSM3J332R P-kanálový 6 A 30 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- řada: STripFET MOSFET Typ P-kanálový 3 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: ISP MOSFET ISP14EP15LMXTSA1 Typ P-kanálový 1.29 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: ISP MOSFET ISP16DP10LMXTSA1 Typ P-kanálový 3.9 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: ISP MOSFET ISP98DP10LMXTSA1 Typ P-kanálový 1.55 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
