řada: STripFET MOSFET STN3P6F6 Typ P-kanálový 3 A 60 V STMicroelectronics, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 877-2949
- Výrobní číslo:
- STN3P6F6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
97,81 Kč
(bez DPH)
118,35 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 2 530 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 9,781 Kč | 97,81 Kč |
| 20 + | 9,312 Kč | 93,12 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 877-2949
- Výrobní číslo:
- STN3P6F6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | STripFET | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 160mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | -1.1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.6W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 3.7 mm | |
| Výška | 1.8mm | |
| Délka | 6.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada STripFET | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 160mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf -1.1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.6W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 3.7 mm | ||
Výška 1.8mm | ||
Délka 6.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- Ne SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Ne SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový
- Ne SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Ne SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový
- Ne SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový
- Ne SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Ne SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Ne SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
