řada: STripFET MOSFET Typ P-kanálový 2 A 30 V STMicroelectronics, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 145-8882
- Výrobní číslo:
- STR2P3LLH6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Přidejte dalších 6000 kusů a ušetřete 1%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
12 120,00 Kč
(bez DPH)
14 670,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
- Odeslání od 31. května 2027
Ks | za jednotku | za cívku* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 4,04 Kč | 12 120,00 Kč | - |
| 6000 - 6000 | 3,99 Kč | 11 970,00 Kč | 1% |
| 9000 - 21000 | 3,942 Kč | 11 826,00 Kč | 2% |
| 24000 + | 3,894 Kč | 11 682,00 Kč | 3% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 145-8882
- Výrobní číslo:
- STR2P3LLH6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Řada | STripFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 90mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 350mW | |
| Přímé napětí Vf | -1.1V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 1.75mm | |
| Výška | 1.3mm | |
| Délka | 3.04mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Řada STripFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 90mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 350mW | ||
Přímé napětí Vf -1.1V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 1.75mm | ||
Výška 1.3mm | ||
Délka 3.04mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: STripFET MOSFET STR2P3LLH6 Typ P-kanálový 2 A 30 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET V MOSFET N-kanálový 2.3 A 20 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET V MOSFET STR2N2VH5 N-kanálový 2.3 A 20 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET Typ P-kanálový 3 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET STN3P6F6 Typ P-kanálový 3 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET N-kanálový 23 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET STD15NF10T4 N-kanálový 23 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET N-kanálový 2.4 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
