řada: S MOSFET SIHK135N65S-T1-GE3 N-kanálový 28 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 878-898
- Výrobní číslo:
- SIHK135N65S-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 1 kusu)*
41,74 Kč
(bez DPH)
50,51 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 15. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
páska, -y | za pásku |
|---|---|
| 1 - 9 | 41,74 Kč |
| 10 - 99 | 28,16 Kč |
| 100 - 499 | 23,71 Kč |
| 500 - 999 | 22,72 Kč |
| 1000 + | 21,98 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 878-898
- Výrobní číslo:
- SIHK135N65S-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 28A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | S | |
| Typ balení | PowerPAK 10 x 12 | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.121Ω | |
| Režim kanálu | N | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 278W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 51nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.4V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 28A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada S | ||
Typ balení PowerPAK 10 x 12 | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.121Ω | ||
Režim kanálu N | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 278W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 51nC | ||
Přímé napětí Vf 1.4V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový tranzistor MOSFET Vishay je navržen pro efektivní řízení spínání a vedení, což z něj činí základní součást pro různé aplikace napájení.
Technologie řady SF nejnovější generace, která zajišťuje optimální výkon
Nízká hodnota zásluh (FOM) pro vyšší energetickou účinnost
Odolnost vůči lavinové energii, která nabízí vyšší spolehlivost při namáhání
Kapacita lavinové energie s jedním impulzem pro náročné aplikace
Související odkazy
- MOSFET SIHK065N60E-T1-GE3 N-kanálový 34 A 650 V počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: E Výkonový MOSFET SiHH080N60E-T1-GE3 N-kanálový 32 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SiH MOSFET SIHH068N60E-T1-GE3 N-kanálový 34 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK105N60E-T1-GE3 N-kanálový 24 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: E Series MOSFET SIHK075N65E-T1-GE3 N-kanálový 29 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiS892ADN Výkonový MOSFET SIS892ADN-T1-GE3 N-kanálový 28 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: E Series MOSFET SIHH075N65E-T1-GE3 N-kanálový 29 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q101 PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8