řada: S MOSFET SIHK135N65S-T1-GE3 N-kanálový 28 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8 kolíkový N

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka, na pásce po 1 ks)*

41,74 Kč

(bez DPH)

50,51 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 04. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

páska, -y
za pásku
1 - 941,74 Kč
10 - 9928,16 Kč
100 - 49923,71 Kč
500 - 99922,72 Kč
1000 +21,98 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
878-898
Výrobní číslo:
SIHK135N65S-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

28A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Typ balení

PowerPAK 10 x 12

Řada

S

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.121Ω

Režim kanálu

N

Maximální ztrátový výkon Pd

278W

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

51nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Přímé napětí Vf

1.4V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Výkonový tranzistor MOSFET Vishay je navržen pro efektivní řízení spínání a vedení, což z něj činí základní součást pro různé aplikace napájení.

Technologie řady SF nejnovější generace, která zajišťuje optimální výkon

Nízká hodnota zásluh (FOM) pro vyšší energetickou účinnost

Odolnost vůči lavinové energii, která nabízí vyšší spolehlivost při namáhání

Kapacita lavinové energie s jedním impulzem pro náročné aplikace

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.