AEC-Q101, řada: TrenchFET Výkonový MOSFET SIR692DP-T1-BE3 N-kanálový 20 A 250 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků: 8

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 páska po 1 kusu)*

66,20 Kč

(bez DPH)

80,10 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 12. října 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

páska, -y
za pásku
1 - 966,20 Kč
10 - 9942,98 Kč
100 - 49929,39 Kč
500 - 99923,96 Kč
1000 +22,23 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
851-504
Výrobní číslo:
SIR692DP-T1-BE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

N

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

20A

Maximální napětí na zdroji Vds

250V

Typ balení

PowerPAK

Řada

TrenchFET

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.067Ω

Režim kanálu

N

Maximální ztrátový výkon Pd

104W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

25.3nC

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

1.04mm

Délka

6.05mm

Normy/schválení

AEC-Q101 Qualified

Automobilový standard

AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):
DE
Vysoce výkonný tranzistor MOSFET Vishay je navržen pro efektivní řízení napájení v různých elektronických systémech, což zajišťuje spolehlivost a přesnost v spínacích aplikacích.

Využívá technologii ThunderFET pro optimální vyvážení RDS(on), Qg, Qsw a Qoss

Zaručená 100% Rg a testováno podle normy UIS pro vyšší spolehlivost

Podporuje maximální napětí drain-zdroj 250 V

Minimální odpor při zapnutí 0,063 Ω při VGS 10 V zajišťuje nízkou ztrátu výkonu

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.