AEC-Q101, řada: TrenchFET Výkonový MOSFET SIR178DP-T1-BE3 N-kanálový 40 A 80 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků: 8

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 páska po 1 kusu)*

63,23 Kč

(bez DPH)

76,51 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 16. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

páska, -y
za pásku
1 - 963,23 Kč
10 - 9940,51 Kč
100 - 49927,91 Kč
500 - 99923,71 Kč
1000 +21,74 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
851-502
Výrobní číslo:
SIR178DP-T1-BE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

40A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Typ balení

PowerPAK

Řada

TrenchFET

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.0029Ω

Režim kanálu

N

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

69.5nC

Maximální ztrátový výkon Pd

375W

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

AEC-Q101 Qualified

Výška

1.04mm

Délka

6.05mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):
TW
Vysoce výkonný N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET Vishay navržený pro efektivní řízení energie. Jeho primární funkcí je optimalizace vedení s nízkými ztrátami výkonu, díky čemuž je vhodný pro různé napájecí aplikace.

Technologie TrenchFET Gen IV zajišťuje vynikající výkon

Extrémně nízký odpor v zapnutém stavu minimalizuje ztráty při vedení

Podporuje nízkonapěťový pohon hradla pro vyšší účinnost

Plně testováno na spolehlivost v podmínkách R a UIS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.