AEC-Q101, řada: TrenchFET Výkonový MOSFET SIR178DP-T1-UE3 N-kanálový 40 A 80 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků: 8

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 páska po 1 kusu)*

63,23 Kč

(bez DPH)

76,51 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 16. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

páska, -y
za pásku
1 - 963,23 Kč
10 - 9940,51 Kč
100 - 49927,91 Kč
500 - 99923,71 Kč
1000 +21,74 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
851-503
Výrobní číslo:
SIR178DP-T1-UE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

N

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

40A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Typ balení

PowerPAK

Řada

TrenchFET

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.0029Ω

Režim kanálu

N

Typický náboj brány Qg @ Vgs

69.5nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

375W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální provozní teplota

175°C

Šířka

5.25mm

Normy/schválení

AEC-Q101 Qualified

Délka

6.05mm

Výška

1.04mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):
TW
N-kanálový tranzistor MOSFET Vishay je navržen tak, aby zajistil efektivní správu napájení v různých aplikacích. Jeho kompaktní pouzdro PowerPAK SO-8 zajišťuje spolehlivost a výkon, což z něj činí univerzální volbu pro moderní elektroniku.

Využívá technologii TrenchFET Gen IV pro vyšší účinnost

Nabízí velmi nízký odpor při zapnutí pro snížení ztrát výkonu

Navrženo pro provoz s nízkonapěťovým pohonem hradla při napětí 2,5 V

100% testováno pro R a UIS pro zajištění kvality a spolehlivosti

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.