AEC-Q101, řada: TrenchFET Výkonový MOSFET SQJQ580E-T1_GE3 N-kanálový 375 A 60 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 851-494
- Výrobní číslo:
- SQJQ580E-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 1 kusu)*
125,97 Kč
(bez DPH)
152,42 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 07. května 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
páska, -y | za pásku |
|---|---|
| 1 - 9 | 125,97 Kč |
| 10 - 99 | 82,50 Kč |
| 100 - 499 | 61,75 Kč |
| 500 - 999 | 53,60 Kč |
| 1000 + | 53,11 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 851-494
- Výrobní číslo:
- SQJQ580E-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 375A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ balení | PowerPAK | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0Ω | |
| Režim kanálu | Režim vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 101nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 6mm | |
| Šířka | 5mm | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 Qualified | |
| Výška | 1mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 375A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ balení PowerPAK | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0Ω | ||
Režim kanálu Režim vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 101nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 6mm | ||
Šířka 5mm | ||
Normy/schválení AEC-Q101 Qualified | ||
Výška 1mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- DE
Automobilový MOSFET Vishay je automobilové N-kanálové zařízení navržené pro spolehlivé řízení napájení. Vyniká v podmínkách vysokých teplot, což zajišťuje efektivní výkon v různých aplikacích v automobilovém sektoru.
Technologie TrenchFET Gen V zvyšuje účinnost výkonu
Certifikace AEC-Q101 pro přísné automobilové normy
Maximální odvodňovací napětí zdroje 80 V zajišťuje robustní provoz
Nízký odpor v zapnutém stavu zajišťuje efektivní výkon