AEC-Q101, řada: TrenchFET Jednoduché tranzistory MOSFET SQJQ580ER-T1_GE3 N-kanálový 352 A 80 V Vishay, PowerPAK (8x8LR),
- Skladové číslo RS:
- 847-933
- Výrobní číslo:
- SQJQ580ER-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 1 kusu)*
124,98 Kč
(bez DPH)
151,23 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 07. května 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
páska, -y | za pásku |
|---|---|
| 1 - 9 | 124,98 Kč |
| 10 - 99 | 81,76 Kč |
| 100 - 499 | 61,26 Kč |
| 500 - 999 | 51,38 Kč |
| 1000 + | 48,91 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 847-933
- Výrobní číslo:
- SQJQ580ER-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 352A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | PowerPAK (8x8LR) | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.00144Ω | |
| Režim kanálu | Režim vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 93nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 12V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 8mm | |
| Normy/schválení | RoHS3 Compliant | |
| Výška | 1.6mm | |
| Délka | 8mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 352A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení PowerPAK (8x8LR) | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.00144Ω | ||
Režim kanálu Režim vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 93nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 12V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 8mm | ||
Normy/schválení RoHS3 Compliant | ||
Výška 1.6mm | ||
Délka 8mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Automobilový N-kanálový výkonový MOSFET Vishay zajišťuje efektivní vysoce výkonné spínání pro různé náročné aplikace a zajišťuje spolehlivost v extrémních podmínkách.
Technologie TrenchFET Gen V zajišťuje vyšší účinnost a výkon
Certifikace AEC-Q101 pro automobilové aplikace, která zajišťuje shodu s průmyslovými normami
Jmenovitý nepřetržitý vypouštěcí proud 352 A za standardních podmínek
Tenký profil 1,9 mm maximalizuje prostorovou účinnost v konstrukcích
100% testováno pro R a UIS, což zajišťuje spolehlivý provoz