AEC-Q101, řada: SQJQ184ER MOSFET SQJQ184ER-T1_GE3 Typ N-kanálový 430 A 80 V Vishay, PowerPAK (8x8LR), počet kolíků: 8

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

205,75 Kč

(bez DPH)

248,958 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Nedostatečné zásobování
  • 1 992 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.

Ks
za jednotku
za balení*
2 - 18102,875 Kč205,75 Kč
20 - 4896,575 Kč193,15 Kč
50 - 9887,56 Kč175,12 Kč
100 - 19882,25 Kč164,50 Kč
200 +77,19 Kč154,38 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
252-0309
Výrobní číslo:
SQJQ184ER-T1_GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

430A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Typ balení

PowerPAK (8x8LR)

Řada

SQJQ184ER

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.0014mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

43nC

Přímé napětí Vf

1.1V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

214W

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

1.9mm

Normy/schválení

AEC-Q101

Délka

6.15mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Automobilové tranzistory MOSFET Vishay jsou vyráběny na vyhrazeném procesním toku a jsou stále robustní. Jmenovitá maximální teplota spojení 175 °C, řada SQ Vishay Siliconix s certifikací AEC-Q101 nabízí technologie N- a P-kanálového tranzistoru FET s nízkým odporem při zapnutí v pouzdrech SO bez obsahu olova (Pb) a halogenů.

Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET s certifikací AEC-Q101, 100 % Rg a testován podle normy UIS, tenký, výška 1,9 mm

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.