AEC-Q101, řada: TrenchFET Automobilový MOSFET SQS135ELNW-T1_GE3 P-kanál-kanálový 47 A 30 V Vishay, PowerPAK 1212-8SLW,
- Skladové číslo RS:
- 790-427
- Výrobní číslo:
- SQS135ELNW-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 50 kusech)*
1 009,25 Kč
(bez DPH)
1 221,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 04. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 50 - 1200 | 20,185 Kč | 1 009,25 Kč |
| 1250 - 4950 | 13,269 Kč | 663,45 Kč |
| 5000 + | 6,916 Kč | 345,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 790-427
- Výrobní číslo:
- SQS135ELNW-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | Automobilový MOSFET | |
| Typ kanálu | P-kanál | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 47A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ balení | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0205Ω | |
| Režim kanálu | MOSFET | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 84W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu Automobilový MOSFET | ||
Typ kanálu P-kanál | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 47A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ balení PowerPAK 1212-8SLW | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0205Ω | ||
Režim kanálu MOSFET | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 84W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení AEC-Q101 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový MOSFET Vishay nabízí robustní výkon a spolehlivost v automobilových aplikacích, nabízí konstrukci P-kanálu s jmenovitým napětím 30 V (D-S) a provozními teplotami až 175 °C, což zajišťuje vynikající řízení teploty.
Technologie TrenchFET Gen IV zvyšuje účinnost a spolehlivost
Certifikace AEC Q101 pro použití v automobilovém průmyslu
100% testování R a UIS pro zaručený výkon
Zvlhčitelné boční svorky zlepšují spolehlivost montáže PCB
Související odkazy
- AEC-Q101 PowerPAK 1212-8SLW, počet kolíků:
- AEC-Q101 PowerPAK 1212-8SLW, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 MOSFET SQS140ENW-T1_GE3 Typ N-kanálový 214 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 MOSFET SQS142ELNW-T1_GE3 Typ N-kanálový 110 A -40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 MOSFET SQS141ELNW-T1_GE3 Typ N-kanálový 101 A -40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 MOSFET SQS160ELNW-T1_GE3 Typ N-kanálový 141 A -40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PowerPAK 1212-8SLW, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 214 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání