řada: FDN MOSFET FDN340P P-kanál-kanálový 2 A 20 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 838-639
- Výrobní číslo:
- FDN340P
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 25 kusech)*
109,50 Kč
(bez DPH)
132,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 05. května 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 4,38 Kč | 109,50 Kč |
| 250 - 1225 | 3,548 Kč | 88,70 Kč |
| 1250 - 2475 | 2,716 Kč | 67,90 Kč |
| 2500 + | 2,126 Kč | 53,15 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 838-639
- Výrobní číslo:
- FDN340P
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | P-kanál | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Řada | FDN | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 70mΩ | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 0.5W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7.2nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 8V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 2.9mm | |
| Výška | 1.4mm | |
| Šířka | 1.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu P-kanál | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Řada FDN | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 70mΩ | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 0.5W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.2nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 8V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 2.9mm | ||
Výška 1.4mm | ||
Šířka 1.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET onsemi P-Channel je navržen pro efektivní spínací aplikace se sníženým odporem v zapnutém stavu a nízkým nábojem hradla. Toto zařízení vyniká ve správě napájení a spínání zátěže pro přenosnou elektroniku.
Je schopen zvládnout proud 2 A s maximálním jmenovitým napětím 20 V
Využívá pokročilou technologii pro dosažení nízkého odporu při zapnutí při více napětích hradla
Navrženo s vysokým výkonem v pouzdru SOT-23 pro lepší tepelný výkon
Bez obsahu Pb, bez obsahu halogenů/BFR, což zajišťuje soulad s environmentálními normami
Související odkazy
- řada: FDN MOSFET FDN5630 N-kanálový 1.7 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET Typ P-kanálový 2.4 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 3.5 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 1 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 1.9 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTR4171PT1G Typ P-kanálový 3.5 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTR4502PT1G Typ P-kanálový 1.9 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTR1P02T1G Typ P-kanálový 1 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
