řada: FDN MOSFET FDN5630 N-kanálový 1.7 A 60 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 838-618
- Výrobní číslo:
- FDN5630
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (25 jednotky/-ek, na pásce po 25 ks)*
108,63 Kč
(bez DPH)
131,42 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 19. května 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 4,345 Kč | 108,63 Kč |
| 250 - 1225 | 3,524 Kč | 88,10 Kč |
| 1250 - 2475 | 2,692 Kč | 67,30 Kč |
| 2500 + | 2,115 Kč | 52,88 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 838-618
- Výrobní číslo:
- FDN5630
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | FDN | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.1Ω | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 0.5W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 1.4mm | |
| Délka | 2.9mm | |
| Výška | 1.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada FDN | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.1Ω | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 0.5W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 1.4mm | ||
Délka 2.9mm | ||
Výška 1.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET onsemi s N-kanálem je primárně navržen pro zvýšení účinnosti měničů DC/DC pomocí spínacích regulátorů PWM.
Optimalizováno pro vysokofrekvenční aplikace, zajišťuje lepší výkon
Vyznačuje se nízkými hodnotami R DS(on), což zvyšuje účinnost v kompaktních konstrukcích
Integruje funkce rychlého spínání pro lepší provozní rychlosti
K dispozici v balení bez obsahu olova a halogenů pro splnění požadavků na ochranu životního prostředí
Související odkazy
- řada: FDN MOSFET FDN340P P-kanál-kanálový 2 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: NDS355 MOSFET N-kanálový 1.7 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 1.7 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NDS355 MOSFET NDS355AN N-kanálový 1.7 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET FDN335N N-kanálový 1.7 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 1.7 A 20 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET N-kanálový 1.7 A 100 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET ZXM61N02FTA N-kanálový 1.7 A 20 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení