řada: NDS355 MOSFET NDS355AN N-kanálový 1.7 A 30 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

98,80 Kč

(bez DPH)

119,55 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 35 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 7 210 jednotka(y) budou odesílané od 05. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4519,76 Kč98,80 Kč
50 - 9516,994 Kč84,97 Kč
100 - 49514,77 Kč73,85 Kč
500 - 99512,942 Kč64,71 Kč
1000 +11,856 Kč59,28 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
739-0167
Číslo zboží společnosti Distrelec:
304-45-674
Výrobní číslo:
NDS355AN
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

1.7A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Řada

NDS355

Typ balení

SOT-23

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

230mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

500mW

Typický náboj brány Qg @ Vgs

3.5nC

Přímé napětí Vf

1.2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-20, +20V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

0.94mm

Šířka

1.4mm

Normy/schválení

No

Délka

2.92mm

Automobilový standard

Ne

Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor


Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.