řada: SI Jednoduché tranzistory MOSFET SI3410BDV-T1-GE3 N-kanálový 6 A 30 V Vishay, TSOP-6, počet kolíků: 6 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 829-360
- Výrobní číslo:
- SI3410BDV-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
18,28 Kč
(bez DPH)
22,12 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 07. října 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 18,28 Kč |
| 10 - 99 | 12,84 Kč |
| 100 - 499 | 7,90 Kč |
| 500 - 999 | 4,94 Kč |
| 1000 + | 3,46 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 829-360
- Výrobní číslo:
- SI3410BDV-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | TSOP-6 | |
| Řada | SI | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0192Ω | |
| Režim kanálu | Režim vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 19nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3.3W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 3mm | |
| Šířka | 1.7mm | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Výška | 1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení TSOP-6 | ||
Řada SI | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0192Ω | ||
Režim kanálu Režim vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 19nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3.3W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 3mm | ||
Šířka 1.7mm | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Výška 1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- DE
Vysoce výkonný N-kanálový MOSFET Vishay je navržen pro efektivní řízení zátěže v elektronických obvodech. Pracuje při maximálním napětí odtoku-zdroje 30 V, což optimalizuje využití energie v různých aplikacích.
Dodává maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 6 A, což zajišťuje spolehlivost při zátěži
Nabízí nízký odpor v zapnutém stavu 0,0192 ohmů při napětí 10 V, což napomáhá energetické účinnosti
Vyrobeno s kompaktním pouzdrem TSOP-6, což usnadňuje integraci do konstrukcí s omezeným prostorem
Zahrnuje pokročilou technologii TrenchFET pro lepší spínací výkon
Související odkazy
- řada: SI Jednoduché tranzistory MOSFET SI7804BDN-T1-GE3 N-kanálový 6 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Jednoduché tranzistory MOSFET SI3552BDV-T1-GE3 N-kanálový 2.5 A 20 V Vishay počet kolíků: 6
- řada: SI Jednoduché tranzistory MOSFET SIA432BDJ-T1-GE3 N-kanálový 3.4 A 30 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Režim
- řada: SI3122DV Jednoduché tranzistory MOSFET SI3122DV-T1-GE3 N-kanálový 1.95 A 100 V Vishay počet kolíků: 6
- MOSFET SI3443DDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 4 A 20 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový
- MOSFET SI3438DV-T1-GE3 Typ P-kanálový 7.4 A 40 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový
- MOSFET SI3460DDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 7.9 A 20 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový
- řada: SI3483DDV MOSFET SI3483DDV-T1-GE3 Typ P-kanálový -6.4 A -30 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový