MPN

řada: SI3122DV Jednoduché tranzistory MOSFET SI3122DV-T1-GE3 Typ N-kanálový 1.95 A 100 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků:

Skladové číslo RS:: 653-088
Výrobní číslo:: SI3122DV-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: SI3122DV Jednoduché tranzistory MOSFET SI3122DV-T1-GE3 Typ N-kanálový 1.95 A 100 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků:

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

9 336,00 Kč

(bez DPH)

11 298,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

6 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
3000 +	3,112 Kč	9 336,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 653-088
Výrobní číslo:: SI3122DV-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	Jednoduché tranzistory MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	1.95A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Typ balení	PowerPAK
	Řada	SI3122DV
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	6
	Maximální odpor zdroje Rds	0.160Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	2.9nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	1.34W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	3.1mm
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.95A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Typ balení PowerPAK
	Řada SI3122DV
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 6
	Maximální odpor zdroje Rds 0.160Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 2.9nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 1.34W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 3.1mm
	Normy/schválení No
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SI3122DV-T1-GE3

Země původu (Country of Origin):: CN

N-kanálový MOSFET Vishay je navržen pro vysoce účinné spínání v kompaktních napájecích systémech. Podporuje napětí zdroje odtoku až 100 V. V balení ve formátu TSOP-6 využívá technologii TrenchFET Gen IV k zajištění nízkého RDS(on), rychlého spínání a efektivního tepelného výkonu v konstrukcích s omezeným prostorem.

Bez obsahu Pb

Bez obsahu halogenů

Vyhovuje RoHS

Používá se v podsvícení LED

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.