řada: SIRA12DDP Jednoduché tranzistory MOSFET SIRA12DDP-T1-GE3 Typ N-kanálový 81 A 30 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků:

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

15 132,00 Kč

(bez DPH)

18 309,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 6 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +5,044 Kč15 132,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
653-144
Výrobní číslo:
SIRA12DDP-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

Jednoduché tranzistory MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

81A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

PowerPAK

Řada

SIRA12DDP

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.0036Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

38W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

9.2nC

Přímé napětí Vf

1.1V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

5.15mm

Výška

1.04mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
TH
N-kanálový MOSFET Vishay je optimalizován pro vysoce účinné spínání v kompaktních napájecích systémech. Podporuje napětí zdroje odtoku až 30 V. V balení PowerPAK SO-8 využívá technologii TrenchFET Gen IV, která zajišťuje mimořádně nízký RDS(on), rychlé spínání a vynikající tepelný výkon.

Bez obsahu Pb

Bez obsahu halogenů

Vyhovuje RoHS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.