řada: SIRA12DDP Jednoduché tranzistory MOSFET SIRA12DDP-T1-GE3 N-kanálový 81 A 30 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 653-144
- Výrobní číslo:
- SIRA12DDP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (3000 jednotky/-ek, v kotouči po 3000 ks)*
15 132,00 Kč
(bez DPH)
18 309,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 5,044 Kč | 15 132,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 653-144
- Výrobní číslo:
- SIRA12DDP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 81A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | SIRA12DDP | |
| Typ balení | PowerPAK | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0036Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 9.2nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 38W | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5.15mm | |
| Šířka | 6.15mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.04mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 81A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada SIRA12DDP | ||
Typ balení PowerPAK | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0036Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 9.2nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 38W | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5.15mm | ||
Šířka 6.15mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.04mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- TH
N-kanálový MOSFET Vishay je optimalizován pro vysoce účinné spínání v kompaktních napájecích systémech. Podporuje napětí zdroje odtoku až 30 V. V balení PowerPAK SO-8 využívá technologii TrenchFET Gen IV, která zajišťuje mimořádně nízký RDS(on), rychlé spínání a vynikající tepelný výkon.
Bez obsahu Pb
Bez obsahu halogenů
Vyhovuje RoHS
Související odkazy
- řada: SIRA12DDP Jednoduché tranzistory MOSFET N-kanálový 81 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SISS5812DN Jednoduché tranzistory MOSFET SISS5812DN-T1-GE3 N-kanálový 42.8 A 80 V Vishay počet kolíků:
- řada: SISS5208DN Jednoduché tranzistory MOSFET SISS5208DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 172 A 20 V Vishay počet
- řada: SIS9122 Jednoduché tranzistory MOSFET SIS9122DN-T1-GE3 Duální N-kanálový 7.1 A 100 V Vishay počet
- řada: SIR4411DP Jednoduché tranzistory MOSFET SIR4411DP-T1-GE3 Typ P-kanálový -48.3 A -40 V Vishay počet
- řada: SIR4156LDP Jednoduché tranzistory MOSFET SIR4156LDP-T1-GE3 N-kanálový 25.7 A 100 V Vishay počet kolíků:
- řada: SiR870BDP Jednoduché tranzistory MOSFET SIR870BDP-T1-UE3 N-kanálový 81 A 100 V Vishay počet kolíků: 8
- řada: SIRA18DDP Jednoduché tranzistory MOSFET SIRA18DDP-T1-GE3 N-kanálový 40 A 30 V Vishay počet kolíků: 8