řada: SIR4411DP Jednoduché tranzistory MOSFET SIR4411DP-T1-GE3 Typ P-kanálový -48.3 A -40 V Vishay, PowerPAK, počet
- Skladové číslo RS:
- 653-192
- Výrobní číslo:
- SIR4411DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
Alternativa
Tento produkt není v současné chvíli dostupný. Prohlédněte si alternativní výrobek, který jsme pro Vás našli.
1 pasek s 1 kusem
24,21 Kč
(bez DPH)
29,29 Kč
(s DPH)
- Skladové číslo RS:
- 653-192
- Výrobní číslo:
- SIR4411DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -48.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -40V | |
| Řada | SIR4411DP | |
| Typ balení | PowerPAK | |
| Typ montáže | Montáž na plošný spoj | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.011Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 36.5nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 56.8W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5.15mm | |
| Výška | 0.61mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 6.25mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -48.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -40V | ||
Řada SIR4411DP | ||
Typ balení PowerPAK | ||
Typ montáže Montáž na plošný spoj | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.011Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 36.5nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 56.8W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5.15mm | ||
Výška 0.61mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 6.25mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový MOSFET s P-kanálem Vishay TrenchFET Gen IV s jmenovitým napětím zdroje odtoku 40 V. Vyznačuje se nízkým RDS(on) a rychlým spínacím výkonem, díky čemuž je vhodný pro vysoce účinnou správu napájení. Balení v kompaktním PowerPAK SO-8 je ideální pro měniče DC/DC, spínání zátěže a správu baterií v konstrukcích s omezeným prostorem.
Bez obsahu Pb
Bez obsahu halogenů
Vyhovuje RoHS
Související odkazy
- řada: SIR4411DP Jednoduché tranzistory MOSFET Typ P-kanálový -48.3 A -40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SIS4406DN Jednoduché tranzistory MOSFET SIS4406DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 62.8 A 40 V Vishay počet
- řada: SISS5208DN Jednoduché tranzistory MOSFET SISS5208DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 172 A 20 V Vishay počet
- řada: SIB4122DK Jednoduché tranzistory MOSFET SIB4122DK-T1-GE3 Typ N-kanálový 5.9 A 100 V Vishay počet
- řada: SIS9122 Jednoduché tranzistory MOSFET SIS9122DN-T1-GE3 Duální N-kanálový 7.1 A 100 V Vishay počet
- řada: SISS5812DN Jednoduché tranzistory MOSFET SISS5812DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 42.8 A 80 V Vishay počet
- řada: SIR4156LDP Jednoduché tranzistory MOSFET SIR4156LDP-T1-GE3 Typ N-kanálový 25.7 A 100 V Vishay počet
- řada: SIHM080N60E Jednoduché tranzistory MOSFET SIHM080N60E-T1-GE3 Typ N-kanálový 51 A 600 V Vishay počet