řada: SIRA18DDP Jednoduché tranzistory MOSFET SIRA18DDP-T1-GE3 N-kanálový 40 A 30 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků: 8

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (3000 jednotky/-ek, v kotouči po 3000 ks)*

13 113,00 Kč

(bez DPH)

15 867,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 6 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +4,371 Kč13 113,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
653-181
Výrobní číslo:
SIRA18DDP-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

N

Typ produktu

Jednoduché tranzistory MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

40A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Řada

SIRA18DDP

Typ balení

PowerPAK

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.00683Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

6.2nC

Maximální ztrátový výkon Pd

17W

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

1.04mm

Šířka

6.15mm

Normy/schválení

No

Délka

5.15mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
TH
N-kanálový MOSFET Vishay je optimalizován pro vysoce účinné spínání v kompaktních napájecích systémech. Podporuje napětí zdroje odtoku až 30 V. V balení PowerPAK SO-8 využívá technologii TrenchFET Gen IV, která zajišťuje mimořádně nízký RDS(on), rychlé spínání a vynikající tepelný výkon.

Bez obsahu Pb

Bez obsahu halogenů

Vyhovuje RoHS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.