AEC-Q101, řada: TrenchFET Automobilový MOSFET SQJQ190E-T1_GE3 N kanál-kanálový 25 A 200 V Vishay, PowerPAK 8 x 8 l,
- Skladové číslo RS:
- 790-426
- Výrobní číslo:
- SQJQ190E-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 50 kusech)*
3 986,60 Kč
(bez DPH)
4 823,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 07. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 79,732 Kč | 3 986,60 Kč |
| 500 - 1200 | 51,682 Kč | 2 584,10 Kč |
| 1250 - 4950 | 27,318 Kč | 1 365,90 Kč |
| 5000 - 24950 | 26,577 Kč | 1 328,85 Kč |
| 25000 + | 25,841 Kč | 1 292,05 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 790-426
- Výrobní číslo:
- SQJQ190E-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | Automobilový MOSFET | |
| Typ kanálu | N kanál | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 25A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ balení | PowerPAK 8 x 8 l | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.075Ω | |
| Režim kanálu | MOSFET | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu Automobilový MOSFET | ||
Typ kanálu N kanál | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 25A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ balení PowerPAK 8 x 8 l | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.075Ω | ||
Režim kanálu MOSFET | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení AEC-Q101 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- DE
Tranzistor MOSFET Vishay s N-kanálem zajišťuje robustní výkon pro automobilové aplikace, který je navržen tak, aby účinně zvládal vysoký proud a napětí. Jeho pokročilá konstrukce zajišťuje spolehlivost v náročných prostředích.
Jmenovité napětí drain-zdroj 200 V
Kvalifikace AEC Q101 pro automobilové normy
Umožňuje nepřetržité vypouštěcí proudy až 95 A
Podporuje maximální teplotu spoje 175 °C