AEC-Q101, řada: TrenchFET Automobilový MOSFET SQJ112EP-T1_GE3 N kanál-kanálový 95 A 100 V Vishay, PowerPAK 8 x 8 l,
- Skladové číslo RS:
- 790-421
- Výrobní číslo:
- SQJ112EP-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 10 kusech)*
340,86 Kč
(bez DPH)
412,44 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 12. dubna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 34,086 Kč | 340,86 Kč |
| 50 + | 33,394 Kč | 333,94 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 790-421
- Výrobní číslo:
- SQJ112EP-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N kanál | |
| Typ produktu | Automobilový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 95A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | PowerPAK 8 x 8 l | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0077Ω | |
| Režim kanálu | MOSFET | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 185W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N kanál | ||
Typ produktu Automobilový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 95A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení PowerPAK 8 x 8 l | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0077Ω | ||
Režim kanálu MOSFET | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 185W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení AEC-Q101 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Automotivní N-kanálový MOSFET Vishay s jmenovitým napětím 100 V je navržen pro vysokou účinnost v náročných aplikacích a zajišťuje spolehlivý provoz i při extrémních teplotách až 175 °C.
Technologie TrenchFET Gen IV optimalizuje spínací vlastnosti
Certifikace AEC Q101 pro spolehlivost v automobilovém průmyslu
100% testování R a UIS pro vyšší odolnost
Jmenovitý nepřetržitý vypouštěcí proud 95 A při teplotě 25 °C
Odpor v zapnutém stavu pouhých 0,0077 Ω při 10 V