AEC-Q101, řada: RD3G08DBKHRB Jednoduché tranzistory MOSFET RD3G08DBKHRBTL Typ N-kanálový 40 V ROHM, TO-252 (TL), počet
- Skladové číslo RS:
- 687-464
- Výrobní číslo:
- RD3G08DBKHRBTL
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 2 kusech)*
47,09 Kč
(bez DPH)
56,978 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 80 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 23,545 Kč | 47,09 Kč |
| 20 - 48 | 20,80 Kč | 41,60 Kč |
| 50 - 198 | 18,635 Kč | 37,27 Kč |
| 200 - 998 | 15,02 Kč | 30,04 Kč |
| 1000 + | 14,735 Kč | 29,47 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 687-464
- Výrobní číslo:
- RD3G08DBKHRBTL
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | RD3G08DBKHRB | |
| Typ balení | TO-252 (TL) | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.1mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 28nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 76W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.50mm | |
| Výška | 2.3mm | |
| Normy/schválení | AEC-Q101, RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada RD3G08DBKHRB | ||
Typ balení TO-252 (TL) | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.1mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 28nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 76W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.50mm | ||
Výška 2.3mm | ||
Normy/schválení AEC-Q101, RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonový tranzistor MOSFET ROHM je navržen pro vysoce výkonné aplikace vyžadující vynikající účinnost a vysokou proudovou kapacitu. Tento MOSFET je navržen pro provoz při napětí 40 V s maximálním nepřetržitým vypouštěcím proudem 80 A a nabízí výjimečnou spolehlivost a výkon v různých provozních podmínkách. Dále jeho nízký odpor při zapnutí 4,1 mΩ minimalizuje ztráty energie, což zajišťuje optimální tepelný výkon a rozptyl výkonu až 76 W, což z něj činí ideální volbu pro náročné aplikace v automobilovém a průmyslovém odvětví.
Nízký odpor při zapnutí pro nižší ztráty energie během provozu
Vysoká schopnost nepřetržitého odběru proudu 80 A pro robustní výkon
Jmenovitý ztrátový výkon 76 W pro spolehlivý provoz v aplikacích s vysokým výkonem
Jmenovitý lavinový proud 30 A, který zajišťuje odolnost při přechodových podmínkách
Certifikace AEC Q101 pro spolehlivost v automobilových aplikacích
V souladu se směrnicí RoHS s pokovováním bez obsahu olova, v souladu s environmentálními normami
Zahrnuje specifikace balení, jako je reliéfní páska, pro efektivní manipulaci
Více jmenovitých hodnot napětí pro různé návrhy obvodů