řada: SIS5712DN Jednoduché tranzistory MOSFET SIS5712DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 18 A 150 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků:

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

43 743,00 Kč

(bez DPH)

52 929,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +14,581 Kč43 743,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
653-112
Výrobní číslo:
SIS5712DN-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

Jednoduché tranzistory MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

18A

Maximální napětí na zdroji Vds

150V

Typ balení

PowerPAK

Řada

SIS5712DN

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.0555Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

5.8nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

39.1W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

±20 V

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

Lead (Pb)-Free

Výška

1.04mm

Šířka

3.30 mm

Délka

3.30mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
N-kanálový MOSFET Vishay je navržen pro vysoce účinné spínání v systémech s vysokou výkonovou hustotou. Podporuje napětí zdroje odtoku až 150 V. V balení PowerPAK 1212-8 využívá technologii TrenchFET Gen V pro zajištění nízkého RDS(on), sníženého náboje hradla a vynikajícího tepelného výkonu.

Bez obsahu Pb

Bez obsahu halogenů

Vyhovuje RoHS

Související odkazy