řada: SIR5712DP Jednoduché tranzistory MOSFET SIR5712DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 18 A 150 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků:

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

39 291,00 Kč

(bez DPH)

47 541,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 6 000 jednotka(y) budou odesílané od 05. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +13,097 Kč39 291,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
653-110
Výrobní číslo:
SIR5712DP-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

Jednoduché tranzistory MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

18A

Maximální napětí na zdroji Vds

150V

Typ balení

PowerPAK

Řada

SIR5712DP

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.0555Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

5.8nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

±20 V

Maximální ztrátový výkon Pd

40W

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

5.15 mm

Výška

1.04mm

Normy/schválení

No

Délka

6.15mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
N-kanálový MOSFET Vishay je navržen pro vysoce účinné spínání v systémech s vysokou výkonovou hustotou. Podporuje napětí zdroje odtoku až 150 V. V balení PowerPAK SO-8 využívá technologii TrenchFET Gen V, která zajišťuje nízký RDS(on), snížený náboj hradla a vynikající tepelný výkon.

Bez obsahu Pb

Bez obsahu halogenů

Vyhovuje RoHS

Související odkazy