řada: SIR5712DP Jednoduché tranzistory MOSFET SIR5712DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 18 A 150 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků:
- Skladové číslo RS:
- 653-110
- Výrobní číslo:
- SIR5712DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
41 205,00 Kč
(bez DPH)
49 857,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 13,735 Kč | 41 205,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 653-110
- Výrobní číslo:
- SIR5712DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 18A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Typ balení | PowerPAK | |
| Řada | SIR5712DP | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0555Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 40W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.04mm | |
| Délka | 6.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 18A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Typ balení PowerPAK | ||
Řada SIR5712DP | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0555Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 40W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.04mm | ||
Délka 6.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-kanálový MOSFET Vishay je navržen pro vysoce účinné spínání v systémech s vysokou výkonovou hustotou. Podporuje napětí zdroje odtoku až 150 V. V balení PowerPAK SO-8 využívá technologii TrenchFET Gen V, která zajišťuje nízký RDS(on), snížený náboj hradla a vynikající tepelný výkon.
Bez obsahu Pb
Bez obsahu halogenů
Vyhovuje RoHS
Související odkazy
- řada: SIR5712DP Jednoduché tranzistory MOSFET Typ N-kanálový 18 A 150 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SIS5712DN Jednoduché tranzistory MOSFET SIS5712DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 18 A 150 V Vishay počet kolíků:
- řada: SIR4411DP Jednoduché tranzistory MOSFET SIR4411DP-T1-GE3 Typ P-kanálový -48.3 A -40 V Vishay počet
- řada: SIB4122DK Jednoduché tranzistory MOSFET SIB4122DK-T1-GE3 Typ N-kanálový 5.9 A 100 V Vishay počet
- řada: SIS9122 Jednoduché tranzistory MOSFET SIS9122DN-T1-GE3 Duální N-kanálový 7.1 A 100 V Vishay počet
- řada: SISS5812DN Jednoduché tranzistory MOSFET SISS5812DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 42.8 A 80 V Vishay počet
- řada: SIR4156LDP Jednoduché tranzistory MOSFET SIR4156LDP-T1-GE3 Typ N-kanálový 25.7 A 100 V Vishay počet
- řada: SIS4406DN Jednoduché tranzistory MOSFET SIS4406DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 62.8 A 40 V Vishay počet