řada: RS7E200 Jednoduché tranzistory MOSFET RS7E200BGTB1 N-kanálový 390 A 30 V ROHM, DFN5060-8S, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 646-623
- Výrobní číslo:
- RS7E200BGTB1
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 2 kusech)*
142,27 Kč
(bez DPH)
172,146 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 100 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 71,135 Kč | 142,27 Kč |
| 20 - 98 | 62,49 Kč | 124,98 Kč |
| 100 - 198 | 56,195 Kč | 112,39 Kč |
| 200 + | 44,585 Kč | 89,17 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 646-623
- Výrobní číslo:
- RS7E200BGTB1
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 390A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | RS7E200 | |
| Typ balení | DFN5060-8S | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.67mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 180W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 135nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | Pb Free, Halogen Free, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 390A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada RS7E200 | ||
Typ balení DFN5060-8S | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.67mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 180W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 135nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení Pb Free, Halogen Free, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET ROHM s nízkým odporem při zapnutí a vysokým výkonem je vhodný pro spínání, pohony motorů a měnič DC/DC.
Povrchová úprava bez obsahu Pb
Vyhovuje RoHS
Bez obsahu halogenů
100% Rg a UIS testováno
Související odkazy
- řada: RS7N160 Jednoduché tranzistory MOSFET RS7N160BHTB1 N-kanálový 160 A 80 V ROHM počet kolíků: 8
- řada: RS7N200 Jednoduché tranzistory MOSFET RS7N200BHTB1 N-kanálový 230 A 80 V ROHM počet kolíků: 8
- AEC-Q101 DFN2020Y7LSAA, počet
- AEC-Q101 DFN3333T8LSAB,
- AEC-Q101 DFN3333T8LSAB,
- AEC-Q101 DFN3333T8LSAB, počet
- řada: RY7P250BM Jednoduché tranzistory MOSFET RY7P250BMTBC N-kanálový 100 V ROHM počet kolíků: 8
- ROHM Tranzistor 2SC5866TLQ 2 A NPN 60 V, počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
