řada: RY7P250BM Jednoduché tranzistory MOSFET RY7P250BMTBC N-kanálový 100 V ROHM, DFN8080T8LSHAAI, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 687-343
- Výrobní číslo:
- RY7P250BMTBC
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 2 kusech)*
274,44 Kč
(bez DPH)
332,08 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 178 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 200 jednotka(y) budou odesílané od 26. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 137,22 Kč | 274,44 Kč |
| 20 - 98 | 120,75 Kč | 241,50 Kč |
| 100 - 198 | 108,475 Kč | 216,95 Kč |
| 200 + | 85,22 Kč | 170,44 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 687-343
- Výrobní číslo:
- RY7P250BMTBC
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | RY7P250BM | |
| Typ balení | DFN8080T8LSHAAI | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.86mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 240nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 340W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 0.8mm | |
| Délka | 1.7mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 1.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada RY7P250BM | ||
Typ balení DFN8080T8LSHAAI | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.86mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 240nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 340W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 0.8mm | ||
Délka 1.7mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 1.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET ROHM je navržen pro náročné aplikace vyžadující vynikající účinnost a spolehlivost. Tento MOSFET je ideální pro použití v regulátorech Hot Swap a jiných aplikacích spínání výkonu, kde jeho nízký odpor při zapnutí 1,86 mΩ zajišťuje minimální ztrátu energie během provozu. Tato součást je RoHS a bez obsahu halogenů, což z ní činí bezpečnou volbu pro ekologické návrhy. Díky pokročilým funkcím, jako je testování na 100% Rg a UIS, zaručuje robustní výkon za různých podmínek, díky čemuž je vhodný pro vysoce výkonné a vysoce spolehlivé elektronické obvody.
Nízký odpor při zapnutí pro vyšší účinnost
Široké vlastnosti SOA pro vynikající spolehlivost
Navrženo pro nepřetržité vypouštěcí proudy až 250 A
Vysoká schopnost pulzního vypouštěcího proudu při ±900 A
Vynikající řízení teploty s tepelným odporem 0.44 °C/W
Vhodné pro široký rozsah provozních teplot -55 až +175 °C
Splňuje normy RoHS a bez obsahu halogenů.
Související odkazy
- AEC-Q101 DFN2020Y7LSAA, počet
- AEC-Q101 DFN3333T8LSAB, počet
- AEC-Q101 TO-252 (TL), počet
- AEC-Q101 TO-252 (TL), počet
- řada: RJ1N04BBHT Jednoduché tranzistory MOSFET RJ1N04BBHTL1 N-kanálový 80 V ROHM počet kolíků: 3
- AEC-Q101 TO-252 (TL), počet
- řada: R8019KNZ4 Jednoduché tranzistory MOSFET R8019KNZ4C13 N-kanálový 800 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252 (TL), počet