řada: TC8220 Pole MOSFET TC8220K6-G P-kanál, N kanál-kanálový 2.3 A 200 V, DFN, počet kolíků: 12 kolíkový Microchip

Skladové číslo RS:: 598-776
Výrobní číslo:: TC8220K6-G
Výrobce:: Microchip

řada: TC8220 Pole MOSFET TC8220K6-G P-kanál, N kanál-kanálový 2.3 A 200 V, DFN, počet kolíků: 12 kolíkový Microchip

Mezisoučet (1 naviják po 3300 kusech)*

194 944,20 Kč

(bez DPH)

235 884,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 17. července 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
3300 +	59,074 Kč	194 944,20 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 598-776
Výrobní číslo:: TC8220K6-G
Výrobce:: Microchip

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Microchip
	Typ produktu	Pole MOSFET
	Typ kanálu	P-kanál, N kanál
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	2.3A
	Maximální napětí na zdroji Vds	200V
	Typ balení	DFN
	Řada	TC8220
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	12
	Maximální odpor zdroje Rds	8.5Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Konfigurace tranzistoru	Dva páry kanálů N a P
	Délka	4mm
	Výška	1mm
	Normy/schválení	RoHS Certificate of Compliance
	Počet prvků na čip	1
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Microchip
	Typ produktu Pole MOSFET
	Typ kanálu P-kanál, N kanál
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.3A
	Maximální napětí na zdroji Vds 200V
	Typ balení DFN
	Řada TC8220
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 12
	Maximální odpor zdroje Rds 8.5Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Konfigurace tranzistoru Dva páry kanálů N a P
	Délka 4mm
	Výška 1mm
	Normy/schválení RoHS Certificate of Compliance
	Počet prvků na čip 1
	Automobilový standard Ne

Datasheet - TC8220K6-G

Země původu (Country of Origin):: CN

Vysokonapěťové N-kanálové a P-kanálové MOSFET Microchip s nízkou prahovou hodnotou ve 12vodičovém pouzdru DFN jsou vybaveny integrovanými rezistory hradla-zdroj a zenerovými diodovými svorkami hradla-zdroj, které jsou ideální pro vysokonapěťové pulzní aplikace. Tyto doplňkové, vysokorychlostní, vysokonapěťové páry MOSFET s N-kanálem a P-kanálem s hradlem využívají pokročilou svislou strukturu DMOS spolu s osvědčeným výrobním procesem společnosti Supertex s křemíkovými hradly. Tato kombinace nabízí možnosti manipulace s napájením bipolárních tranzistorů a zároveň poskytuje vysokou vstupní impedanci a kladný teplotní koeficient typický pro zařízení MOS.

Integrovaný odpor hradla k zdroji

Integrovaná dioda Zenerova hradla na zdroj

Nízká prahová hodnota, nízký odpor při zapnutí

Nízká vstupní a výstupní kapacita

Rychlé spínací rychlosti

řada: TC8220 Pole MOSFET TC8220K6-G P-kanál, N kanál-kanálový 2.3 A 200 V, DFN, počet kolíků: 12 kolíkový Microchip

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS