řada: TC7920 Pole MOSFET TC7920K6-G N kanál, P-kanál-kanálový 1.8 A 200 V, DFN, počet kolíků: 12 kolíkový Microchip

Skladové číslo RS:: 598-568
Výrobní číslo:: TC7920K6-G
Výrobce:: Microchip

řada: TC7920 Pole MOSFET TC7920K6-G N kanál, P-kanál-kanálový 1.8 A 200 V, DFN, počet kolíků: 12 kolíkový Microchip

Mezisoučet (1 naviják po 3300 kusech)*

189 334,20 Kč

(bez DPH)

229 095,90 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 13. července 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
3300 +	57,374 Kč	189 334,20 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 598-568
Výrobní číslo:: TC7920K6-G
Výrobce:: Microchip

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Microchip
	Typ kanálu	N kanál, P-kanál
	Typ produktu	Pole MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	1.8A
	Maximální napětí na zdroji Vds	200V
	Typ balení	DFN
	Řada	TC7920
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	12
	Maximální odpor zdroje Rds	12Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	1.8V
	Konfigurace tranzistoru	Elektricky izolované páry kanálů N a P (2 páry)
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	RoHS Certificate of Compliance
	Výška	1mm
	Počet prvků na čip	1
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Microchip
	Typ kanálu N kanál, P-kanál
	Typ produktu Pole MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.8A
	Maximální napětí na zdroji Vds 200V
	Typ balení DFN
	Řada TC7920
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 12
	Maximální odpor zdroje Rds 12Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 1.8V
	Konfigurace tranzistoru Elektricky izolované páry kanálů N a P (2 páry)
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení RoHS Certificate of Compliance
	Výška 1mm
	Počet prvků na čip 1
	Automobilový standard Ne

Datasheet - TC7920K6-G

Země původu (Country of Origin):: CN

Vysokonapěťové, nízkoprahové N-kanálové a P-kanálové MOSFET společnosti Microchip ve 12vodičovém pouzdru DFN jsou vybaveny integrovanými výstupními vysokonapěťovými vypouštěcími diodami, odpory hradla-zdroj a svorkami Zenerovy diody hradla-zdroj, díky čemuž jsou ideální pro vysokonapěťové pulzní aplikace. Tyto doplňkové, vysokorychlostní, vysokonapěťové páry MOSFET s hradlem používají pokročilou svislou strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces s křemíkovou hradlem. Tato kombinace zajišťuje možnosti manipulace s napájením bipolárních tranzistorů spolu s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem charakteristickým pro zařízení MOS.

Integrovaný odpor hradla k zdroji

Integrovaná dioda Zenerova hradla na zdroj

Nízká prahová hodnota, nízký odpor při zapnutí

Nízká vstupní a výstupní kapacita

Rychlé spínací rychlosti

řada: TC7920 Pole MOSFET TC7920K6-G N kanál, P-kanál-kanálový 1.8 A 200 V, DFN, počet kolíků: 12 kolíkový Microchip

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS