řada: IMZC120 MOSFET IMZC120R022M2HXKSA1 Typ N-kanálový 80 A 1200 V Infineon, PG-TO-247-4-U07, počet kolíků: 4 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

555,63 Kč

(bez DPH)

672,31 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks
za jednotku
1 - 9555,63 Kč
10 - 99500,18 Kč
100 +461,15 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
351-925
Výrobní číslo:
IMZC120R022M2HXKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

80A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Řada

IMZC120

Typ balení

PG-TO-247-4-U07

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

22mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

71nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

23 V

Přímé napětí Vf

5.5V

Maximální ztrátový výkon Pd

329W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

200°C

Šířka

16 mm

Délka

23.5mm

Normy/schválení

JEDEC47/20/22

Automobilový standard

Ne

Diskrétní tranzistor Infineon CoolSiC MOSFET 1200 V, 22 mΩ G2 ve 4pinovém pouzdře TO-247 s vysokou plazivostí staví na silných stránkách technologie 1. generace s výrazným vylepšením, které poskytuje pokročilé řešení pro nákladově optimalizovaný, efektivní, kompaktní, snadno navržený a spolehlivý systém. Zlepšila výkonnost jak při provozu s tvrdým přepínáním, tak při topologiích s měkkým přepínáním pro všechny běžné kombinace stupňů AC-DC, DC-DC a DC-AC.

Doba výdrže při zkratu 2 μs

Referenční prahové napětí hradla 4,2 V

Odolnost proti parazitnímu zapnutí

Velmi nízké spínací ztráty

Užší rozdělení parametrů VGS(th)

Související odkazy