řada: IMZC120 MOSFET IMZC120R078M2HXKSA1 Typ N-kanálový 20 A 1200 V Infineon, PG-TO-247-4-U07, počet kolíků: 4 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

204,52 Kč

(bez DPH)

247,47 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 240 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 9204,52 Kč
10 - 99184,02 Kč
100 - 499169,94 Kč
500 - 999157,34 Kč
1000 +141,04 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
351-933
Výrobní číslo:
IMZC120R078M2HXKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

20A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Řada

IMZC120

Typ balení

PG-TO-247-4-U07

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

204mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

5.5V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

143W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

21nC

Maximální provozní teplota

200°C

Délka

23.5mm

Normy/schválení

JEDEC47/20/22

Automobilový standard

Ne

Diskrétní tranzistory Infineon CoolSiC MOSFET s vysokým krytem staví na silných stránkách technologie 1. generace s výrazným vylepšením, které poskytuje pokročilé řešení pro nákladově optimalizovaný, efektivní, kompaktní, snadno navrhnutelný a spolehlivý systém. Zlepšila výkonnost jak při provozu s tvrdým přepínáním, tak při topologiích s měkkým přepínáním pro všechny běžné kombinace stupňů AC-DC, DC-DC a DC-AC.

Lepší energetická účinnost

Optimalizace chlazení

Vyšší hustota výkonu

Nové funkce odolnosti

Vysoce spolehlivé

Snadné paralelní zapojení

Související odkazy