řada: IMZC120 MOSFET IMZC120R012M2HXKSA1 Typ N-kanálový 91 A 1200 V Infineon, PG-TO-247-4-U07, počet kolíků: 4 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 351-922
- Výrobní číslo:
- IMZC120R012M2HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
955,31 Kč
(bez DPH)
1 155,93 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- Plus 240 jednotka(y) budou odesílané od 02. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 955,31 Kč |
| 10 - 99 | 859,56 Kč |
| 100 + | 792,62 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 351-922
- Výrobní číslo:
- IMZC120R012M2HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 91A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Typ balení | PG-TO-247-4-U07 | |
| Řada | IMZC120 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 12mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 124nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 480W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | JEDEC47/20/22 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 91A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Typ balení PG-TO-247-4-U07 | ||
Řada IMZC120 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 12mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 124nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 480W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení JEDEC47/20/22 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Diskrétní tranzistor Infineon CoolSiC MOSFET 1200 V, 12 mΩ G2 ve 4pinovém pouzdře TO-247 s vysokou plazivostí staví na silných stránkách technologie 1. generace s výrazným vylepšením, které poskytuje pokročilé řešení pro nákladově optimalizovaný, efektivní, kompaktní, snadno navržený a spolehlivý systém. Zlepšila výkonnost jak při provozu s tvrdým přepínáním, tak při topologiích s měkkým přepínáním pro všechny běžné kombinace stupňů AC-DC, DC-DC a DC-AC.
Doba výdrže při zkratu 2 μs
Referenční prahové napětí hradla 4,2 V
Odolnost proti parazitnímu zapnutí
Velmi nízké spínací ztráty
Užší rozdělení parametrů VGS(th)
Související odkazy
- řada: IMZC120 MOSFET IMZC120R040M2HXKSA1 Typ N-kanálový 34 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: IMZC120 MOSFET IMZC120R053M2HXKSA1 Typ N-kanálový 27 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: IMZC120 MOSFET IMZC120R017M2HXKSA1 Typ N-kanálový 69 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: IMZC120 MOSFET IMZC120R078M2HXKSA1 Typ N-kanálový 20 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: IMZC120 MOSFET IMZC120R034M2HXKSA1 Typ N-kanálový 55 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: IMZC120 MOSFET IMZC120R026M2HXKSA1 Typ N-kanálový 49 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: IMZC120 MOSFET IMZC120R022M2HXKSA1 Typ N-kanálový 80 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: SCTWA70N120G2V-4 MOSFET Typ N-kanálový 91 A 1200 V STMicroelectronics počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení