řada: IGLT65 MOSFET IGLT65R025D2AUMA1 N-kanálový 67 A 650 V Infineon, PG-HDSOP-16, počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 351-891
- Výrobní číslo:
- IGLT65R025D2AUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 9%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
289,48 Kč
(bez DPH)
350,27 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 902 jednotka(y) budou odesílané od 09. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 289,48 Kč | - |
| 10 - 99 | 260,59 Kč | 9% |
| 100 + | 240,33 Kč | 16% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 351-891
- Výrobní číslo:
- IGLT65R025D2AUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 67A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | PG-HDSOP-16 | |
| Řada | IGLT65 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 16 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.053Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 10V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 219W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | JEDEC for Industrial Applications | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 67A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení PG-HDSOP-16 | ||
Řada IGLT65 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 16 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.053Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 10V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 219W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení JEDEC for Industrial Applications | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Výkonový tranzistor GaN společnosti Infineon umožňuje zvýšit účinnost při vysokofrekvenčním provozu. Jako součást rodiny CoolGaN 650 V G5 splňuje nejvyšší standardy kvality, což umožňuje vysoce spolehlivé konstrukce s vynikající účinností. Je uložen v pouzdře TOLT s chlazením shora a je navržen pro optimální rozptyl energie v různých průmyslových aplikacích.
výkonový tranzistor e-mode 650 V
Ultrarychlé přepínání
Žádný poplatek za zpětné vymáhání
Schopnost zpětného vedení
Nízký náboj hradla, nízký výstupní náboj
Vynikající robustnost komutace
Nízká dynamika RDS(zapnuto)
Vysoká odolnost proti ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM
Chlazený balíček na horní straně
Kvalifikace JEDEC (JESD47, JESD22)
Související odkazy
- řada: IGLT65 MOSFET IGLT65R110D2ATMA1 N-kanálový 15 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení
- řada: IGLT65 MOSFET IGLT65R045D2ATMA1 N-kanálový 38 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení
- řada: IGLT65 MOSFET IGLT65R035D2ATMA1 N-kanálový 47 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení
- řada: IGLT65 MOSFET IGLT65R055D2ATMA1 N-kanálový 31 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMLT65R020M2HXTMA1 N-kanálový 107 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMLT65R060M2HXTMA1 N-kanálový 96 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMLT65R040M2HXTMA1 N-kanálový 57 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMLT65R050M2HXTMA1 N-kanálový 47 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení